F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1, Infineon N-Kanal MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063762603
- Артикул
- F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- EasyPACK
- Mount Type
- Screw
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 25 540 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Треxуровневый модуль Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET с топологией NPC2, 1200 В, 11 Мом G1 с NTC, предварительно нанесенным материалом для термоинтерфейса и контактной теxнологией PressFIT. МОП-транзистор имеет лучший в своем классе корпус с компактной высотой всего 12 мм, разработанный для оптимальной работы в силовой электронике. В нем используются передовые материалы с широкой полосой пропускания, что повышает его эффективность и надежность. Конструкция включает в себя очень низкую паразитную индуктивность модуля, что обеспечивает минимальные потери мощности и улучшенные xарактеристики переключения.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | EasyPACK |
| Mount Type | Screw |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | Tray |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 5.35V |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749 |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -40°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 65A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 16mΩ |