IRFB4110, Транзистор N-MOSFET 100В 120/180А 370Вт 0.0045Ом [TO-220.]
![IRFB4110, Транзистор N-MOSFET 100В 120/180А 370Вт 0.0045Ом [TO-220.]](https://static.epl-electro.ru/lib/642/DOC001642379.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001630258
- Артикул
- IRFB4110
- PartNumber
- EV-IRFB4110-T3
- Бренд
- EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- to220
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- High Cell Density Trench
Цена по запросу
(от 60,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | to220 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | High Cell Density Trench |
| Крутизна характеристики, S | 160 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 370 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0045Ом |