EPC2012C, Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061930570
- Артикул
- EPC2012C
- Бренд
- EPC/Efficient Power Conversion
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +6V, -4V
- Technology
- GaNFET(Gallium Nitride)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный штамп для поверxностного монтажа напряжением 200 В 5А (Ta)
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Technology | GaNFET(Gallium Nitride) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A(Ta) |