EMX52T2R, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008916081
- Артикул
- EMX52T2R
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.05
- Структура
- npn
- Технология
- Si
- Power Dissipation NPN
- 150мВт
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN+NPN Driver Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Power Dissipation NPN | 150мВт |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transition Frequency NPN | 350МГц |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| DC Current Gain hFE Min NPN | 120hFE |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Continuous Collector Current NPN | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | Двойной NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Другие названия товара № | EMX52 |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-563 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 at 1 mA at 6 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |