EMX2T2R, 100nA 50V 150mW 120@1mA,6V 150mA 180MHz 400mV@50mA,5mA 2 NPN +150-@(Tj) SOT-563 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015788590
- Артикул
- EMX2T2R
- Бренд
- Rohm
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- EMX2
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 0.02
Цена по запросу
(от 7,69 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | EMX2 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.02 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | EMT-6 |
| Part # Aliases | EMX2 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 560 |
| Gain Bandwidth Product FT | 180 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Continuous Collector Current | 150 mA |
| Maximum DC Collector Current | 0.15 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.4 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 180 |