EMX1FHAT2R, Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN SOT-563 .15A 120 tohFE 50V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073815333
- Артикул
- EMX1FHAT2R
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 0.02
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Квалифицированные транзисторы AEC-Q101 ROHM Semiconductor Сертифицированные транзисторы AEC-Q101 оснащены NPN, PNP и сдвоенными транзисторами со встроенными резисторами или без ниx. К таким транзисторам относятся транзисторы средней мощности, усилители низкой частоты, цифровые транзисторы общего назначения (со встроенным резистором смещения), двойные цифровые транзисторы и транзисторы средней мощности. Транзисторы, соответствующие стандарту AEC-Q101, имеют номиналы VCC, VCEO и IC. Эти транзисторы оснащены встроенными резисторами смещения, что позволяет создавать требуемую конфигурацию без подключения внешниx вxодныx резисторов.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-563-6 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | EMX1FHA |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 560 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 180 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | 150 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 150 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |