EMT1FHAT2R, Bipolar Transistors - BJT Transistor, Discrete Semiconductors, Bipolar , PNP+PNP, SOT-563, GP Amplification for Automotive
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005545317
- Артикул
- EMT1FHAT2R
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Структура
- pnp
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 48,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP+PNP
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |