EMT1DXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066654963
- Артикул
- EMT1DXV6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 1.6 mm
- Серия
- EMT SERIES
- Высота
- 0.55 mm
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V Dual PNP
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | EMT SERIES |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |