Моя заявка (0)

EMH60T2R, Digital Transistors Transistor, NPN+NPN, SOT-563, Dual Digital (Bias Resistor Built-in )

EMH60T2R, Digital Transistors Transistor, NPN+NPN, SOT-563, Dual Digital (Bias Resistor Built-in )

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005508491
Артикул
EMH60T2R
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Вес, г
1
Subcategory:
Transistors
Channel Mode:
Enhancement
Цена по запросу
(от 27,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

80 при 5 мА, 10 В, 2 NPN -транзистора с предварительным смещением, 150 МВт, 100 мА, 50 В, 500 на цифровыx транзистораx SOT-563, ROHS

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Вес, г1
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:Digital Transistors
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Output Voltage:50 mV
Package / Case:EMT-6
Part # Aliases:EMH60
Transistor Type2 NPN-Pre-Biased
Product Category:Digital Transistors
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Collector Current (Ic)100mA
Factory Pack Quantity:8000
Power Dissipation (Pd)150mW
Pd - Power Dissipation:150 mW
Typical Input Resistor:2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio:21
Transition Frequency (fT)250MHz
Peak DC Collector Current:100 mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)80@5mA, 10V
Maximum Operating Frequency:250 MHz
Continuous Collector Current:100 mA
Maximum DC Collector Current:100 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:80
Collector Cut-Off Current (Icbo)500nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@500uA, 5mA

Техническая документация