EMD4DXV6T1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8327147074
- Артикул
- EMD4DXV6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 1.6 mm
- Серия
- EMD4DXV6
- Высота
- 0.55 mm
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Dual Complementary NPN & PNP Digital
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | EMD4DXV6 |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-553-5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Типичное входное сопротивление | 47 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1, 0.21 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |