EMD12T2R, Транзистор: NPN / PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066851403
- Артикул
- EMD12T2R
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 0.1
- Subcategory:
- Transistors
- Manufacturer:
- ROHM Semiconductor
Цена по запросу
(от 31,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
68 при 5 мА, 5 В, 1 NPN, 1 PNP - Цифровые транзисторы с предварительным смещением 150 МВт, 100 мА, 50 В, 500нА, SOT-563 (SOT-666), ROHS
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 0.1 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | EMT-6 |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | EMD12 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Typical Input Resistor: | 47 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@5mA, 5V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 68 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500uA, 10mA |