EM6M2T2R,Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 0.7 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8514186177
- Артикул
- EM6M2T2R
- Бренд
- Rohm
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.003
- FET Feature
- Logic Level Gate
- Power - Max
- 150mW
Цена по запросу
(от 92 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Массив Моп-транзисторов 20 В 200 мА 150 МВт для поверxностного монтажа EMT6
Технические параметры
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.003 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 150mW |
| Configuration | N and P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 200mA, 4V |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.7 Ом |