EM6K7T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015745340
- Артикул
- EM6K7T2CR
- Бренд
- Rohm
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Fall Time
- 10 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Rise Time
- 10 ns
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Fall Time | 10 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 10 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-563-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Power Dissipation N Channel | 150мВт |
| Power Dissipation P Channel | 150мВт |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 200мА |
| Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.8Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.8Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 2.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-563 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 200мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 200мА |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.8Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |