EM6J1T2R, MOSFETs FET Dual Pch -20V -200mA EMT6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004726039
- Артикул
- EM6J1T2R
- Бренд
- Rohm
- Width
- 1.3mm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series
- EM6J1
- Series:
- EM6J1
Цена по запросу
(от 50,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series | EM6J1 |
| Series: | EM6J1 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-563 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-563-6 |
| Part # Aliases: | EM6J1 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.4 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Transistor Configuration | Dual Base |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.6 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |