Моя заявка (0)
EFC8811R-TF, Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002224218
Артикул
EFC8811R-TF
Бренд
ON Semiconductor***
Type
Power MOSFET
Brand:
onsemi
Series:
EFC8811R
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 1 000 ₽)
Минимальный заказ: 31 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой полевой транзистор, 2-элементный, N-канальный, кремниевый, Металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор

Технические параметры

TypePower MOSFET
Brand:onsemi
Series:EFC8811R
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count6
Fall Time:17.7 us
Rise Time:570 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Package TypeCSP
Rad HardenedNo
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:CSP-6
Transistor Type:2 N-Channel
Power Dissipation2.5(W)
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:100 nC
Number of Elements2
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Drain-Source On-Volt12(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Continuous Drain Current27(A)
Gate-Source Voltage (Max)'±8(V)
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:80 ns
Typical Turn-Off Delay Time:38 us
Id - Continuous Drain Current:27 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6.3 mOhms
Operating Temperature ClassificationMilitary
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А27
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация