EFC6611R-TF, MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE S
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369083
- Артикул
- EFC6611R-TF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.0034
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 127,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.0034 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | CSP-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 100 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 27 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.5…1.1 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |