EFC6611R-A-TF, MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369082
- Артикул
- EFC6611R-A-TF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 509
- Серия
- EFC6611R
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 192 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Технические параметры
| Вес, г | 509 |
| Серия | EFC6611R |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 17700 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | CSP-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Время нарастания | 570 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 27 A |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.5…1.1 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 38000 ns |
| Типичное время задержки при включении | 80 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 19 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |