EFC6604R-TR, Trans MOSFET N-CH 12V 13A T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002184735
- Артикул
- EFC6604R-TR
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 2030 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 12V 13A с 6-контактным разъемом EFCP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Dual Source |
| Package Width | 1.46 mm |
| Package Length | 1.91 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | EFCP |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 3900 |
| Typical Rise Time (ns) | 1200 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1600 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 29@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 300 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 12 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 5200 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 13 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 9@4.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -2 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |