EFC6601R-TR, MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004651428
- Артикул
- EFC6601R-TR
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.07
- Серия:
- efc6601r
- Структура
- N-Channel
- Технология:
- si
Цена по запросу
(от 109,28 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.07 |
| Серия: | efc6601r |
| Структура | N-Channel |
| Технология: | si |
| Вид монтажа: | smd/smt |
| Особенности | - |
| Тип продукта: | mosfet |
| Конфигурация: | dual |
| Подкатегория: | mosfets |
| Производитель: | onsemi |
| Торговая марка: | onsemi |
| Упаковка / блок: | wlcsp-6 |
| Канальный режим: | enhancement |
| Qg - заряд затвора: | 48 nc |
| Категория продукта: | моп-транзистор |
| Количество каналов: | 2 channel |
| Полярность транзистора: | n-channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 2 w |
| Id - непрерывный ток утечки: | 13 a |
| Размер фабричной упаковки: | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -12 v, +12 v |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.5…1.1 В |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 11.5 mohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 24 v |
| Минимальная рабочая температура: | -55 c |
| Максимальная рабочая температура: | +150 c |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |