EFC4C012NLTDG, Trans MOSFET N-CH 30V 19A 6-Pin WLCSP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002323753
- Артикул
- EFC4C012NLTDG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 550 ₽)
Минимальный заказ: 56 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL N-CHAN
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.7 us, 5.7 us |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | WLCSP-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 18 nC, 18 nC |
| Время нарастания | 2 us, 2 us |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 mOhms, 5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 26 us, 26 us |
| Типичное время задержки при включении | 2.7 us, 2.7 us |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |