EFC4626R-TR, MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369076
- Артикул
- EFC4626R-TR
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.52
- Серия
- EFC4626R
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 40,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор NCH+NCH 2.5V DRIVE
Технические параметры
| Вес, г | 0.52 |
| Серия | EFC4626R |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 38.4 us, 38.4 us |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | EFCP1010-4 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.5 nC |
| Время нарастания | 350 ns, 350 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.4 W |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 37.5 mOhms, 37.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 24 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.5…1.1 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 22 us, 22 us |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns, 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S, 7 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |