EFC3J018NUZTDG, MOSFETs PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369075
- Артикул
- EFC3J018NUZTDG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 2800 ns
- Rise Time:
- 890 ns
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 134,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 2800 ns |
| Rise Time: | 890 ns |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WLCSP-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 75 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 280 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4100 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 23 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |