EFC2J013NUZTDG, MOSFETs NCH 12V 17A WLCSP DUAL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369072
- Артикул
- EFC2J013NUZTDG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.001
- Серия
- EFC2J013NUZ
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 81,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор NCH 12V 17A WLCSP DUAL
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Серия | EFC2J013NUZ |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 73 us |
| Особенности | полевая сборка |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | WLCSP-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | Dual N-Channel MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 37 nC |
| Время нарастания | 26 us |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.8 mOhms |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 130 us |
| Типичное время задержки при включении | 11 us |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |