ECH8695R-TL-W,Dual MOSFET, N Channel, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.007 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051363539
- Артикул
- ECH8695R-TL-W
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- ECH8
- Version
- ESD
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.071
Цена по запросу
(от 113 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 24В, 11А, Idm: 60А, 1,4Вт, ECH8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | ECH8 |
| Version | ESD |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.071 |
| Application | charging control |
| Gate charge | 10nC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 11A |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1.4W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±12.5V |
| On-state resistance | 9.1mΩ |
| Drain-source voltage | 24V |
| Pulsed drain current | 60A |
| Особенности | полевая сборка |
| Semiconductor structure | common drain |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 24 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007 Ом |