Моя заявка (0)
ECH8693R-TL-W, MOSFETs N-CH Pwr MOSFET 24V 14A 7mOhm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005369067
Артикул
ECH8693R-TL-W
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Brand:
onsemi
Series
ECH8693R
Цена по запросу
(от 82,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, ДВОЙНОЙ N-КАНАЛЬНЫЙ, 24 В, 14 А, SOT-28FL; Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный; Постоянный ток стока Id: 14 А; Напряжение источника стока Vds: 24 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0056 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 4,5 В; Пороговое напряжение

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor
Brand:onsemi
SeriesECH8693R
Series:ECH8693R
Fall Time22200 ns
PackagingReel
Rise Time525 ns
Fall Time:22200 ns
Rise Time:525 ns
TechnologySi
Technology:Si
ManufacturerON Semiconductor
Subcategory:MOSFETs
Вес, кг2.85
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationDual Common Drain
Manufacturer:onsemi
Package/Case:ECH-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseECH-8
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type2 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge13 nC
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13 nC
Number of Channels2 Channel
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation1.4 W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.4 W
Vgs - Gate-Source Voltage12.5 V
Typical Turn-On Delay Time545 ns
Vgs - Gate-Source Voltage:-12.5 V, +12.5 V
Typical Turn-Off Delay Time18650 ns
Typical Turn-On Delay Time:545 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18650 ns
Id - Continuous Drain Current14 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min8 S
Id - Continuous Drain Current:14 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8 S
Rds On - Drain-Source Resistance7 mOhms
Rds On - Drain-Source Resistance:7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage24 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:24 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В24
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7мОм

Техническая документация