ECH8690-TL-H, MOSFETs PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369065
- Артикул
- ECH8690-TL-H
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Brand:
- onsemi
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N/P
Цена по запросу
(от 112,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N & P-CH, 60 В, 4,7 А, ECH-8; Полярность транзистора: N и P дополняют друг друга; Постоянный ток стока Id: 4,7 А; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление Rds (вкл.): 0,042 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.): 10 В; Пороговое напряжение Vgs: -; Рассеиваемая мощность Pd: 1,5 Вт; Тип корпуса транзистора: ECH; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Ведущий (27 июня-2018 год)
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Brand: | onsemi |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N/P |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Power - Max | 1.5W |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | SOT-28FL |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 6.11 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N and P-Channel |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | ECH-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Leads |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 1.8(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Number of Elements | 2 |
| Структура | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Supplier Device Package | 8-ECH |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.7 A, 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms, 94 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 955pF @ 20V, 790pF @ 20V |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A, 3.5A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 55 mOhms, 94 mOhms |