Моя заявка (0)
ECH8420-TL-H, MOSFETs NCH 1.8V DRIVE SERIES

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062261207
Артикул
ECH8420-TL-H
Бренд
ON Semiconductor***
Series
-
FET Type
N-Channel
Packaging
Cut Tape(CT)
Vgs (Max)
В±12V
Цена по запросу
(от 71 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор NCH 1.8V DRIVE SERIES

Технические параметры

Series-
FET TypeN-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±12V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.02
СерияECH8420
FET Feature-
Part StatusActive
ManufacturerON Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id-
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.6W(Ta)
Supplier Device Package8-ECH
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокECH-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 4.5V
Канальный режимEnhancement
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Qg - заряд затвора29 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2430pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C14A(Ta)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.6 W
Id - непрерывный ток утечки14 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток6.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C

Техническая документация