ECH8420-TL-H, MOSFETs NCH 1.8V DRIVE SERIES
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004651425
- Артикул
- ECH8420-TL-H
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- -
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±12V
Цена по запросу
(от 112,25 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор NCH 1.8V DRIVE SERIES
Технические параметры
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | ECH8420 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 7A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W(Ta) |
| Supplier Device Package | 8-ECH |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | ECH-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2430pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40мом |