Моя заявка (0)
ECH8310-TL-H, MOSFETs SWITCHING DEVICE

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006231836
Артикул
ECH8310-TL-H
Бренд
ON Semiconductor***
Type
Power MOSFET
Width
2.3mm
Mounting
Surface Mount
Polarity
P
Цена по запросу
(от 120,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, P-CH, -30V, -9A, SOT-28FL; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -9A; Напряжение источника стока Vds: -30 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,009 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: -10 В; Пороговое значение Напряжение Vgs: -; Рассеиваемая мощность Pd: 1,5 Вт; Тип корпуса транзистора: SOT-28FL; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC: Ведущий (27 июня-2018)

Технические параметры

TypePower MOSFET
Width2.3mm
MountingSurface Mount
PolarityP
PackagingTape and Reel
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeECH
Rad HardenedNo
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation1.5(W)
Number of Elements1
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Drain-Source On-Volt30(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Особенности-
Continuous Drain Current9(A)
Transistor ConfigurationSingle
Gate-Source Voltage (Max)'±20(V)
Maximum Power Dissipation1.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs28 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.6V
Maximum Drain Source Resistance17 mΩ
Maximum Continuous Drain Current9 A
Operating Temperature ClassificationMilitary
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация