ECH8309-TL-H, 12V 9.5A 16mOhm@4.5V,4.5A 1.5W P Channel ECH-8 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017605620
- Артикул
- ECH8309-TL-H
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Type
- 1PCSPChannel
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH Si 12V 9.5A с 8-контактным разъемом ECH T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Type | 1PCSPChannel |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 2.3 mm |
| Package Length | 2.9 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | ECH |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Структура | P-Channel |
| Standard Package Name | ECH |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 123 |
| Typical Rise Time (ns) | 110 |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18nC@4.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.78nF@6V |
| Continuous Drain Current (Id) | 9.5A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 18@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±10 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 22 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 12 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 157 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1780@6V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 16@4.5V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16mΩ@4.5V, 4.5A |