Моя заявка (0)
ECH8308-TL-H, MOSFETs SWITCHING DEVICE

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004738339
Артикул
ECH8308-TL-H
Бренд
ON Semiconductor***
Series
-
FET Type
P-Channel
Packaging
Cut Tape(CT)
Vgs (Max)
В±10V
Цена по запросу
(от 110,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор SWITCHING DEVICE

Технические параметры

Series-
FET TypeP-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±10V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г664
СерияECH8308
FET Feature-
Part StatusActive
ManufacturerON Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id-
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5 mOhm @ 5A, 4.5V
Особенности-
Power Dissipation (Max)1.6W(Ta)
Supplier Device Package8-ECH
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокECH-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 4.5V
Тип транзистора1 P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C10A(Ta)
Полярность транзистораP-Channel
Id - непрерывный ток утечки10 A
Размер фабричной упаковки3000
Rds Вкл - сопротивление сток-исток12.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация