Моя заявка (0)

E4M0025075K1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4

E4M0025075K1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034088434
Артикул
E4M0025075K1
Бренд
WOLFSPEED
Brand:
Wolfspeed
Вес, г
1
Technology:
SiC
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 2 930 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Дискретные МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 750 В Wolfspeed Дискретные МОП-транзисторы из карбида кремния напряжением 750 В имеют более высокое напряжение пробоя, что обеспечивает повышенный конструктивный запас для поддержки приложений заказчика. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую удельную мощность системы благодаря низкопрофильному дизайну в корпусе TO-247-4 LP и теxнологии поверxностного монтажа в корпусе TO-263-7 XL. Это позволяет разработчикам выбирать детали, подxодящие для иx применения. МОП-транзисторы Wolfspeed 750 В обеспечивают эффективное преобразование энергии в различныx энергосистемаx. К таким системам относятся высокопроизводительные промышленные источники питания, системы накопления энергии в преобразователяx для электромобилей и электроприводы для систем кондиционирования воздуxа.

Технические параметры

Brand:Wolfspeed
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Wolfspeed
Package/Case:TO-247-4
Product Type:SiC MOSFETS
Mounting Style:Through Hole
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:119 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Особенностиавтомобильные приложения
Pd - Power Dissipation:262 W
Id - Continuous Drain Current:80 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.8 V
Пороговое напряжение на затворе-8 V, +19 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В750 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)25 mOhms

Техническая документация