E4M0015075J2-TR, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mO, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8035452893
- Артикул
- E4M0015075J2-TR
- Бренд
- WOLFSPEED
- Grade
- Automotive
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +19V, -8V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
Цена по запросу
(от 2 986,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 750 В 156 А (Tc) 554 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-263-7
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 15.4mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 55.8A, 15V |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Power Dissipation (Max) | 554W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 750 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5128 pF @ 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 156A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +19 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 750 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15мОм |