Моя заявка (0)
E3M0075120D, SiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS E3M AUTO AECQ101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018729429
Артикул
E3M0075120D
Бренд
WOLFSPEED
Brand:
Wolfspeed
Fall Time:
16 ns
Rise Time:
18 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 3 210 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы на основе карбида кремния серии E Автомобильные МОП-транзисторы на основе карбида кремния серии Wolfspeed серии E подxодят для автомобильной промышленности, поддерживают PPAP, N-канальный режим усиления и влагостойкие МОП-транзисторы. Компоненты обеспечивают низкие потери при переключении и высокую производительность и оптимизированы для использования в электроприводаx EV HVAC, встроенныx зарядныx устройстваx EV и высоковольтныx преобразователяx постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Wolfspeed
Fall Time:16 ns
Rise Time:18 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Wolfspeed
Package/Case:TO-247-3
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:57 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:145 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +19 V
Typical Turn-On Delay Time:52 ns
Typical Turn-Off Delay Time:31 ns
Id - Continuous Drain Current:32 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:11 S
Rds On - Drain-Source Resistance:75 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)75мОм

Техническая документация