Моя заявка (0)

E3M0040120J2-TR, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3

E3M0040120J2-TR, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8032743716
Артикул
E3M0040120J2-TR
Бренд
WOLFSPEED
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
+19V, -8V
Technology
SiCFET(Silicon Carbide)
Цена по запросу
(от 1 490,24 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 1200 В 63А (Tc) 294 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-263-7

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)+19V, -8V
TechnologySiCFET(Silicon Carbide)
Вес, г1
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / CaseTO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 8.77mA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 31.9A, 15V
Особенностиавтомобильные приложения
Power Dissipation (Max)294W(Tc)
Supplier Device PackageTO-263-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2726 pF @ 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C63A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)40мом

Техническая документация