E3M0021120J2-TR, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063960440
- Артикул
- E3M0021120J2-TR
- Бренд
- WOLFSPEED
- Grade
- Automotive
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +19V, -8V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
Цена по запросу
(от 2 480 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1200 В 114 А (Tc) 500 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-263-7
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 17.1mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 62.12A, 15V |
| Power Dissipation (Max) | 500W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 169 nC @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 114A(Tc) |