Моя заявка (0)
DZT5551, SOT-223 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070089795
Артикул
DZT5551
Бренд
DIODES INC.
RoHS
Details
Brand
Diodes Incorporated
Width
3.7 mm
Height
1.65 mm
Цена по запросу
(от 45,15 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ТРАНЗИСТОР, NPN, 160 В, 0,6 А, SOT223, Полярность транзистора:NPN, Напряжение коллектор-эмиттер, V(br)ceo:160 В, Частота переxода ft:130 МГц, Рассеиваемая мощность Pd:1 Вт, Ток коллектора постоянного тока:600 мА, Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 80hFE, Количество контактов: 4 контакта, RoHS Соответствует требованиям: Да

Технические параметры

RoHSDetails
BrandDiodes Incorporated
Width3.7 mm
Height1.65 mm
Length6.7 mm
SeriesDZT5551
PackagingReel
Вес, г0.17
ManufacturerDiodes Incorporated
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-223-4
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Power Dissipation1Вт
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation1000 mW
DC Current Gain hFE Min80hFE
Gain Bandwidth Product fT300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Collector- Base Voltage VCBO180 V
Continuous Collector Current600мА
Maximum DC Collector Current600 mA
Collector Emitter Voltage Max160В
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min30 at 50 mA, 5 V
Частота Перехода ft130МГц
Collector- Emitter Voltage VCEO Max160 V
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Saturation Voltage200 mV
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация