DZT5551-13, Bipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005475284
- Артикул
- DZT5551-13
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 63,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 160Vceo
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.11 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | DZT5551 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.65 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 3.5 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Package Height | 1.6 |
| Package Length | 6.5 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Standard Package Name | SOT-223 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Minimum DC Current Gain | 80@1mA@5V|30@50mA@5V|80@10mA@5V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | 600 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA(ICBO) |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 180 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 160 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@1mA@10mA|1.2@5mA@50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@5mA@50mA|0.15@1mA@10mA |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 50 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |