Моя заявка (0)
DXTP5820CFDB-7, DFN-3(2x2) BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025168583
Артикул
DXTP5820CFDB-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.06
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Цена по запросу
(от 87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

Технические параметры

Вес, г0.06
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокU-DFN2020-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности0.69 W
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Максимальный постоянный ток коллектора8 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер235 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.155 at - 6 A, - 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100 at - 6 A, - 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)140 MHz

Техническая документация