DXTP58100CFDB-7, Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059759
- Артикул
- DXTP58100CFDB-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PNP-транзисторы с низкой насыщаемостью Встроенные в диоды PNP-транзисторы с низкой насыщаемостью соответствуют стандарту AEC-Q100/101/200. Эти транзисторы с низкой насыщаемостью поддерживают теxнологию PPAP и производятся на оборудовании, сертифицированном IATF 16949. Транзисторы PNP имеют номинальную высоту корпуса 0,6 мм и поставляются в комплекте с U-DFN2020-3. Эти транзисторы с низким коэффициентом насыщения обеспечивают статический коэффициент прямой передачи по току (HFE), заданный до -3 А/-5 В/-6 А для поддержания высокого коэффициента усиления по току. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, зарядные цепи, управление двигателем и выключатели питания.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Package Type | UDFN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | U-DFN2020-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Pd - Power Dissipation: | 690 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 180 at-2 A, -2 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 135 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | -4 A |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Continuous Collector Current: | -2 A |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 90 at-2 A, -2 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 125 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |