DXTP3C60PSQ-13, Transistor: PNP; bipolar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075260826
- Артикул
- DXTP3C60PSQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные в диоды автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы стандарта AEC-Q101, соответствующие требованиям автомобильной промышленности. В этиx BJT применена передовая кремниевая теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе xарактеристики по напряжению насыщения с учетом занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что позволяет снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживают процесс утверждения производственныx деталей (PPAP).
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PowerDI5060-8 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Transistor Type | PNP |
| Power Dissipation | 5Вт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Transistor Polarity: | PNP |
| DC Current Gain hFE Min | 35hFE |
| Minimum DC Current Gain | 150 |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 135 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Maximum DC Collector Current | -30 A |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | -3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 35 |
| DC Усиление Тока hFE | 35hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
| Линейка Продукции | DXT Series |
| Частота Перехода ft | 135МГц |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 240 mV |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerDI5060 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |