Моя заявка (0)

Diodes Inc DXTP3C100PSQ-13 PNP Low Saturation Bipolar Transistor, -3 A, -100 V, 8-Pin PowerDI5060-8

Diodes Inc DXTP3C100PSQ-13 PNP Low Saturation Bipolar Transistor, -3 A, -100 V, 8-Pin PowerDI5060-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8020143759
Артикул
DXTP3C100PSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Package Type
PowerDI5060-8
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 137,69 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DiodesZetex изготавливает высокомощный транзистор PNP с низким уровнем насыщения. Устройство обеспечивает напряжение BVCEO более -100 В и рассчитано на температуру выше 175°C, что делает его идеальным для применений с высокой температурой окружающей среды.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Package TypePowerDI5060-8
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain170
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокPowerDI5060-8
Maximum DC Collector Current-3 A
Maximum Collector Emitter Voltage-100 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности5 W
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер360 mV
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)10
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)125 MHz

Техническая документация