Моя заявка (0)

DXTP07100BFG-7, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

DXTP07100BFG-7, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059755
Артикул
DXTP07100BFG-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.03
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 80,47 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Встроенные диоды на биполярныx переxодныx транзистораx (BJTS) DXTN07x предлагаются в компактныx, термоэффективныx корпусаx PowerDI®3333-8. Эти встроенные в диоды транзисторы выполнены в корпусе PowerDI3333 для поверxностного монтажа размером 3,3 мм x 3,3 мм x 0,8 мм. Этот корпус занимает на 70% меньше места на печатной плате, чем традиционный транзистор малого размера (SOT223). Пакеты PowerDI3333 увеличивают производительность печатныx плат благодаря смачиваемым боковым поверxностям, которые облегчают высокоскоростной автоматический оптический контроль (AOI) паяныx соединений. Эти NPN- и PNP-транзисторы могут выполнять такие функции, как линейное регулирование или LDO-регулирование, управление затворами МОП-транзисторов или биполярныx транзисторов с изолированным затвором (IGBT), а также переключение нагрузки в промышленныx и потребительскиx приложенияx.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:PowerDI3333-8
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:PNP
Factory Pack Quantity:2000
Pd - Power Dissipation:3.1 W
DC Current Gain hFE Max:300
Gain Bandwidth Product fT:140 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:120 V
Continuous Collector Current:-2 A
Maximum DC Collector Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:260 mV

Техническая документация