DXTN26070CY-13, Bipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059749
- Артикул
- DXTN26070CY-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DXTN26070
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DXTN26070 |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 500 at 100 mA, 2 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 220 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 150 V |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 70 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 150 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |