DXTN10060DFJBWQ-7, Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069848446
- Артикул
- DXTN10060DFJBWQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 30
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Power Dissipation
- 1.8Вт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transist
Технические параметры
| Вес, г | 30 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 1.8Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 20hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | W-DFN2020-3 |
| Continuous Collector Current | 4А |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| DC Усиление Тока hFE | 20hFE |
| Частота Перехода ft | 125МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | WDFN2020 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 240 mV |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 550 at 10 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 at 10 mA, 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |