DXTN07060BFG-7, Transistor: NPN; bipolar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062475329
- Артикул
- DXTN07060BFG-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.1
- Power Dissipation
- 3.1Вт
- Структура
- npn
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 91,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Power Dissipation | 3.1Вт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Линейка Продукции | DXT Series |
| Частота Перехода ft | 175МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerDI3333 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |