DXTN07045DFG-7, Transistor: NPN; bipolar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066096739
- Артикул
- DXTN07045DFG-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.1
- Структура
- npn
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 140 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 400 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |