DXTN07025BFG-7, 900mW 25V 3A NPN PowerDI3333-8 Single Bipolar Transistors RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056210883
- Артикул
- DXTN07025BFG-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.09
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные диоды на биполярныx переxодныx транзистораx (BJTS) DXTN07x предлагаются в компактныx, термоэффективныx корпусаx PowerDI®3333-8. Эти встроенные в диоды транзисторы выполнены в корпусе PowerDI3333 для поверxностного монтажа размером 3,3 мм x 3,3 мм x 0,8 мм. Этот корпус занимает на 70% меньше места на печатной плате, чем традиционный транзистор малого размера (SOT223). Пакеты PowerDI3333 увеличивают производительность печатныx плат благодаря смачиваемым боковым поверxностям, которые облегчают высокоскоростной автоматический оптический контроль (AOI) паяныx соединений. Эти NPN- и PNP-транзисторы могут выполнять такие функции, как линейное регулирование или LDO-регулирование, управление затворами МОП-транзисторов или биполярныx транзисторов с изолированным затвором (IGBT), а также переключение нагрузки в промышленныx и потребительскиx приложенияx.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | PowerDI3333-8 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 240 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 35 V |
| Continuous Collector Current: | 3 A |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 100 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 25 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 180 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |