Моя заявка (0)

DXT751Q-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

DXT751Q-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007188357
Артикул
DXT751Q-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Цена по запросу
(от 103 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Технические параметры

Вес, г1
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2 W
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)145 MHz

Техническая документация