Моя заявка (0)

DXT651-13, 60V 1W 200@500mA,2V 3A NPN SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

DXT651-13, 60V 1W 200@500mA,2V 3A NPN SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069688874
Артикул
DXT651-13
Бренд
DIODES INC.
Brand
Diodes Incorporated
Series
DXT651
Packaging
Cut Tape or Reel
Вес, г
0.22
Цена по запросу
(от 135,62 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR NPN

Технические параметры

BrandDiodes Incorporated
SeriesDXT651
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.22
Длина4.5 mm
СерияDXT651
SubcategoryTransistors
ManufacturerDiodes Incorporated
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
Высота1.5 mm
КорпусSOT-89/TO-243
Ширина2.5 mm
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-89-3
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity2500
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation1000 mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product FT200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
Collector- Base Voltage VCBO80 V
Maximum DC Collector Current3 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max60 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1000 mW
Размер фабричной упаковки2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация